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一文读懂:第三代半导体行业现状和投资机遇

时间:2021-08-21 13:32 点击: 作者:超级新闻场
[导读]等企业,大部分为未上市企业,但最近3年发展迅速,其中衬底企业山东天岳、天科合达已在上市申报阶段。 企业成立的时间上,普遍晚于欧美日巨头15-20年以上,在衬底、外延工艺方面处于落后位置。国内主要技术源头:中科院、山东大学、中电科体系、清华、及海

网络公开数据,华映资本整理

等企业,大部分为未上市企业,但最近3年发展迅速,其中衬底企业山东天岳、天科合达已在上市申报阶段。

企业成立的时间上,普遍晚于欧美日巨头15-20年以上,在衬底、外延工艺方面处于落后位置。国内主要技术源头:中科院、山东大学、中电科体系、清华、及海外企业归国创业人才等。

产业形态分析:SiC厂商以全产业链的IDM巨头为主、IDM占器件90%以上

化合物半导体芯片性能与材料、结构设计和制造工艺之间的关联性较强,且三代半导体设计难度不如数字电路复杂,因此很多企业采用IDM模式。

例如Rohm和CREE整合了SiC从衬底到模组的全产业链环节;Mitsubishi Electric和Fuji Electric整合了芯片到终端应用系统。

全球大部分器件及应用市场份额被IDM厂商Infineon、CREE、Rohm、意法半导体等少数企业瓜分。

2020年CREE占据衬底市场约52%份额、器件市场约21%份额;CREE和Infineon、Rohm共占器件市场的63%。CREE占据碳化硅基GaN超过24%市场份额。

数据来源:网络公开数据,华映资本整理

研报、网络公开数据

数据来源:网络公开数据,华映资本整理,统计数据截至2021年5月

数据来源:网络公开数据,华映资本整理,统计数据截至2021年5月

数据来源:网络公开数据,华映资本整理,统计数据截至2021年5月

参考资料

硬科技复兴联盟《第三代半导体SiC行业研究报告》

知乎专栏《碳化硅SIC材料研究现状与行业应用》

电子发烧友网《碳化硅(SiC)功率器件发展现状》

电子发烧友网《火热的投资环境以及政策保障下,我国SIC产业已完成基本布局》

电子发烧友网《三种碳化硅的主要制备方法》

方正证券《第三代半导体之SiC研究框架》

方正证券《第三代半导体之GaN研究框架》

天科合达招股说明书、山东天岳招股说明书、海外上市公司年报、老虎证券、方正证券、粤开策略、东兴证券研报、知乎、wind等

本文来自微信公众号:华映资本(ID:MeridianCapital),作者:朱彤

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